从基于紫外LED的高效p型外延技术成果由广东省公益研究与能力建设-工业高新技术领域项目经费支持开展，主要针对国家及广东省“十三五”规划关于第三代宽禁带半导体材料技术研发需求，重点解决基于紫外LED的氮化物半导体材料的p型掺杂技术。

    近年来，由于紫外LED光源拥有体积小、寿命长、可靠性高、节能环保等巨大优势，是替代汞灯的唯一固态光源产品，随着紫外LED光源性能的提升推动着紫外LED产业市场正快速增长，着眼于紫外LED的巨大市场潜力，开展基于紫外LED的p型外延技术成果的研发，技术成熟后可推广至相关应用领域，对于推动我省战略性新兴产业发展具有积极作用。

    本成果研究了新型溅射AlN buffer工艺上GaN生长的位错演变机理、调控优化获得了（002）面半宽低至113arcsec的GaN外延膜和（002）面半宽低至92arcsec的AlGaN外延膜，对比新型Mg掺杂方法采用超晶格掺杂获得了空穴浓度达1.5×10 19cm -3的p型GaN和1.1×10 18cm -3的p型AlGaN，基于高空穴浓度p型空穴注入层制备了350mA工作电流光功率365.4mW、电压3.33V、波长400.4nm的紫外LED。

    本成果涉及紫外LED外延的高质量氮化物模板生长、高空穴浓度p型掺杂和高辐射效率的紫外LED外延技术，已实现了高质量的GaN、AlGaN外延生长、高空穴浓度的p型GaN和AlGaN激活和高光功率的近紫外LED制备，可直接应用于产业化生产，相关技术水平已达中试水平。目前部分技术已应用于业内企业的高质量AlGaN模板生长和高质量LED外延生长，产品应用水平良好。